吴德馨在20世纪70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制,并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺,独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。
随后,吴德馨在20世纪80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术,用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术,和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。
伟德体育官方网站入口在哪下载安装?伟德体育官方网站入口好用吗?
作者: 江韵怡 2026年04月09日 13:44
网友评论更多
178仇岚策n
这种螺剧毒致命 千万别买别吃
2026/04/09 推荐
8272巩辰军20
欧盟与澳大利亚达成自由贸易协定 以抵挡美国关税政策的影响
2026/04/08 推荐
362关震婵pm
境外间谍用激光隔空窃听
2026/04/07 不推荐