吴德馨在20世纪70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制,并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺,独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。
随后,吴德馨在20世纪80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术,用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术,和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。
千亿游戏平台621.9MB
查看
亿酷娱乐棋牌app下载手机版135.57MB
查看
ku体育app娱乐手机版82.8MB
查看
ope体育app官网[官方]完整版975.22MB
查看
网友评论更多
654戴龙江v
男生也会有乳腺问题?揭秘男性乳腺超声的3个关键点
2026/04/08 推荐
5789祁亮以873
市场监管总局官网转发文章《外卖大战该结束了》
2026/04/07 推荐
110韩飞蝶cf
三维控股集团股份有限公司关于控股股东股票质押式回购交易延期购回的公告
2026/04/06 不推荐