吴德馨在20世纪70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。
随后，吴德馨在20世纪80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。
网友评论更多
79穆香辰t
阿特斯股价连续5天下跌累计跌幅6.43%，汇添富基金旗下1只基金持200万股，浮亏损失198万元
2026/04/08 推荐
4040薛妹绿371
旅游ETF华夏（562510）跌1.28%，成交额4061.48万元
2026/04/07 推荐
949平功伦ct
食品饮料ETF华宝（515710）涨0.92%，成交额2828.23万元
2026/04/06 不推荐